理化性質(zhì)

九氟己基三甲氧基硅烷，英文名稱(chēng)：NONAFLUOROHEXYLTRIMETHOXYSILANE，CAS號(hào)：85877-79-8，分子式：C9H13F9O3Si，分子量：368.27，EINECS號(hào)：248-418-4，沸點(diǎn)：182.1±40.0°C，密度1.335g/cm3，折射率1.3376，閃點(diǎn)71°C(lit.)，為無(wú)色液體。

應(yīng)用

1、專(zhuān)利CN202411370890.5介紹了一種半導(dǎo)體傳感器芯片，由下至上依次由加熱電極、襯底層（氧化鋁層，厚度為0.25mm，長(zhǎng)度和寬度均為4mm）、電極層、敏感材料層、過(guò)濾層和泡沫陶瓷。本實(shí)施例中過(guò)濾層的制備方法，由以下步驟組成： 將HZSM?5分子篩、Pd源和水（HZSM?5分子篩與水的質(zhì)量體積比為1g：10mL）混合后， 在80℃下烘干，再在溫度為550℃，氫氣氣氛下煅燒2h； 再將煅燒處理后的HZSM?5分子篩和氨水（質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%，煅燒處理后的HZSM?5分子篩和氨水的質(zhì)量體積比為1g：50mL）混合，制得第一混合物； 再將九氟己基三甲氧基硅烷和第一混合物混合，在130℃下反應(yīng)25h，反應(yīng)完成后， 固液分離，收集固相，在80℃下干燥12h。該專(zhuān)利通過(guò)對(duì)敏感材料層和過(guò)濾層進(jìn)行調(diào)控，從而制得了性能優(yōu)異的傳感器芯片^[1]。

2、專(zhuān)利CN201380049239.1發(fā)現(xiàn)兩種特定的氟烷基硅烷的組合特別適用于形成在鋁材料鍍覆處理中充當(dāng)抗蝕層的SAM。并提供了用于局部鍍覆的預(yù)處理方法、用于鋁材料的局部鍍覆方法和用于鍍覆鋁材料的抗蝕劑。該預(yù)處理方法包括：在由鋁材料構(gòu)造成的基底上，由九氟己基三甲氧基硅烷和三氟丙基三甲氧基硅烷的混合物形成SAM作為抗蝕層；和對(duì)所述基底施以鋅酸鹽處理。使用九氟己基三甲氧基硅烷和三氟丙基三甲氧基硅烷的混合物形成的SAM幾乎完全涂布由鋁材料構(gòu)造成的基底并還具有高的耐酸性和耐堿性。因此，其甚至在鋅酸鹽處理過(guò)程中也可防止鋅沉積而不剝落^[2]。

參考文獻(xiàn)

[1]湖南星碩傳感科技有限公司. 一種半導(dǎo)體氣體傳感器芯片及其制備方法與應(yīng)用:CN202411370890.5[P]. 2024-11-01.

[2]豐田自動(dòng)車(chē)株式會(huì)社,國(guó)立大學(xué)法人名古屋大學(xué). 用于局部鍍覆的預(yù)處理方法、用于鋁材料的局部鍍覆方法和用于鍍覆鋁材料的抗蝕劑:CN201380049239.1[P]. 2017-09-22.