簡述

四(二甲氨基)錫是一種分子式為C₈H₂₄N₄Sn，分子量為295.013的化學物質，無色至淡黃色溶液，空氣敏感，是一種重要的有機金屬試劑。

制備方法

四(二甲氨基)錫可通過下述步驟制備：

（1）向金屬氫化物中加入溶劑，得到懸濁液；

（2）向懸濁液中滴加無水四氯化錫，反應得到反應液；

（3）向反應液中通入二甲胺，攪拌反應，得到混合物；

（4）對混合物進行減壓去低沸、減壓蒸餾、精餾得到所述四(二甲氨基)錫。

上述方法以金屬氫化物替代了活性高難以控制的正丁基鋰，金屬氫化物活性大大降低，不會發(fā)生劇烈反應，因此安全性大大提高，并且金屬氫化物可以替代正丁基鋰作為縛酸劑參與反應促進反應進行，大幅降低生產成本，利于大規(guī)模生產[1]。

應用

氣體傳感器技術領域公開一種一體化MEMS氫氣傳感器的制備方法。對MEMS進行清潔和干燥后轉移至ALD反應器中，以四(二甲氨基)錫和水為前驅體沉積SnO₂薄膜，控制ALD SnO₂在MEMS上沉積的循環(huán)次數(shù)，獲得不同厚度SnO₂薄膜，在MEMS沉積150循環(huán)的ALDSnO₂上繼續(xù)沉積NiO，以二茂鎳(NiCp₂)和O₃為前體，沉積溫度270℃，對NiCp₂的脈沖，暴露和吹掃，改變MEMS上沉積ALD NiO的循環(huán)次數(shù)獲得不同比例NiOSnO₂界面位點的敏感材料。同現(xiàn)有技術相比，上述方法通過原子層沉積精準控制納米大小或膜厚度，可以實現(xiàn)高強度，高靈敏和穩(wěn)定的MEMS傳感器制備[2]。

此外，文獻還報道了一種氧化銦基透明導電薄膜及其制備方法。該氧化銦基透明導電薄膜包括基底材料，氧化銦籽晶層和氧化銦主體層；所述氧化銦籽晶層附著在基底材料的表面，所述氧化銦主體層附著在氧化銦籽晶層的表面。其通過金屬有機化學氣相沉積的方式制備，以有機金屬三甲基銦作為銦源，高純氧氣作為氧源，四(二甲氨基)錫作為摻雜源制備獲得。制備得到的氧化銦基透明導電薄膜厚度為20nm～1μm，電阻率小于5×104Ω·cm，具有4.1～4.7eV的光學帶隙，在300nm處的透過率大于50%，且光譜透射區(qū)域延伸到深紫外波段，還能精準控制表面形貌，適用于作為近紫外深紫外波段的透明導電薄膜[3]。

參考文獻

[1]齊愛民,陳鵬宇.一種四(二甲氨基)錫的制備方法:202310918814[P].

[2]胡慶敏,徐甲強,張景韜,等.一種一體化MEMS氫氣傳感器制備方法:CN202111485555.6[P].CN202111485555.6.

[3]王鋼,卓毅,陳梓敏,等.一種紫外透明導電薄膜及其制造方法:CN201710195510.2[P].