鹵化鈣鈦礦光催化3,4-乙烯二氧噻吩（EDOT）及其衍生物在光電材料和器件制備方面具有重要應用前景。北京理工大學陳錕研究員等報道了Cs3BixSb(2-x)Br9 (X=0, 0.25 and 0.5) 反相蛋白石材料光催化EDOT的直接聚合，增加了通過光催化方法制備鹵化鈣鈦礦/導電聚合物材料和器件的便利性。

SEM圖像（a）和TEM圖像（b）Cs3BixSb2-xBr9（X=2，1.5，1，0.5，0.25 and 0）催化性能和能級。

聚3,4-乙烯二氧噻吩（PEDOT）是一類廣泛用于光電材料和器件中的導電聚合物材料。鹵化鈣鈦礦光催化3,4-乙烯二氧噻吩（EDOT）及其衍生物在光電材料和器件制備方面具有重要應用前景。在動力學因素和熱力學因素雙重控制下，鹵化鈣鈦礦材料光催化制備PEDOT的噻吩衍生物前體目前主要限于EDOT的三聚體（TerEDOT）。合成TerDEOT不但耗費時間，增加成本，而且TerEDOT容易氧化變質(zhì)，不宜貯存。若能使用市售的EDOT作為聚合前體，對利用光催化制備鹵化鈣鈦礦/PEDOT復合材料和器件具有重要意義。

北京理工大學陳錕研究員等制備了一系列不同鹵素組成和鉍（Bi）/銻（Sb）比例的高結晶度全無機鈣鈦礦反相蛋白石材料，并考察了這些材料光催化EDOT聚合的性能。通過調(diào)整銻基鹵化鈣鈦礦Cs3Sb2Br3xI9-3x (X=0, 1, 1.5, 2 and 3)中鹵素組成，Cs3Sb2Br9的導帶位置低于EDOT的氧化電勢，使EDOT的光催化聚合過程在熱力學上變得可行。此外，銻與噻吩衍生物硫原子之間的相互作用也有利于Cs3Sb2Br9催化EDOT聚合。由于Bi/Sb雙基鹵化鈣鈦礦中Bi主要影響導帶位置而Sb主要影響價帶位置，因此，引入Bi形成雙基鹵化鈣鈦礦可能會保持價帶位置不變的前提下，降低材料能隙帶，從而從動力學方面優(yōu)化光催化性能。

為了進一步提高鹵化鈣鈦礦催化EDOT聚合的性能，作者在Cs3Sb2Br9中引入了Bi，并優(yōu)化了雙基鹵化鈣鈦礦中Bi/Sb的比例。在Cs3BixSb(2-x)Br9 (X=2, 1.5, 1, 0.5, 0.25 and 0)（X=中，Cs3Bi0.5Sb1.5Br9 展現(xiàn)出比Cs3Sb2Br9更高的催化活性。在穩(wěn)定性方面，Cs3Bi0.5Sb1.5Br9回收后再用于EDOT聚合反應。催化劑的性能由于PEDOT沉積在表面減少了活性位點而降低，而電鏡和XRD結果顯示鈣鈦礦的形貌和結構并未發(fā)生明顯改變。