制備一種光刻用硫化物半導(dǎo)體掩膜，其特征在于所述的硫化物半導(dǎo)體掩膜的材料為碲化鍺，鍺銻碲，銀銦銻碲，碲化銻或銻。本發(fā)明硫化物半導(dǎo)體掩膜材料由于材料的三階非線性效應(yīng)，能大大減小光斑或者刻蝕線寬，刻蝕點(diǎn)或刻蝕線寬是光斑衍射極限的1/3-1/6，比采用金屬銦(In)(60%)的效果更明顯，同時(shí)需要的激光功率也大大降低。