背景及概述[1]
米吡氯銨可用于制備一種能夠抑制半導(dǎo)體裝置、微機械這樣的由氧化硅形成的微細結(jié)構(gòu)體的圖案倒塌的處理液。
結(jié)構(gòu)
應(yīng)用
米吡氯銨應(yīng)用舉例如下：
一種用于抑制微細結(jié)構(gòu)體的圖案倒塌的處理液，其是用于抑制由氧化硅形成的微細結(jié)構(gòu)體的圖案倒塌的處理液，所述處理液含有選自具有碳原子數(shù)12、碳原子數(shù)14或碳原子數(shù)16的烷基的咪唑鎓鹵化物、具有碳原子數(shù)14或碳原子數(shù)16的烷基的吡啶鎓鹵化物和具有碳原子數(shù)16或碳原子數(shù)18的烷基的鹵化銨中的至少一種及水。其中，碳原子數(shù)12的烷基為十二烷基、碳原子數(shù)14的烷基為十四烷基、碳原子數(shù)16的烷基為十六烷基、碳原子數(shù)18的烷基為十八烷基；咪唑鎓鹵化物為選自1?十二烷基?3?甲基氯化咪唑鎓、1?十四烷基?3?甲基氯化咪唑鎓和1?十六烷基?3?甲基氯化咪唑鎓中的1種以上。吡啶鎓鹵化物為選自十四烷基氯化吡啶鎓、十六烷基氯化吡啶鎓、1?十四烷基?4?甲基氯化吡啶鎓（米吡氯銨）1?十六烷基?4?甲基氯化吡啶鎓中的1種以上；鹵化銨為選自十六烷基三甲基氯化銨、十八烷基三甲基氯化銨、芐基二甲基十六烷基氯化銨和芐基二甲基十八烷基氯化銨中的1種以上；咪唑鎓鹵化物、吡啶鎓鹵化物和鹵化銨的含量為10ppm～10%。
制造方法，在濕式蝕刻或干式蝕刻之后的洗滌工序中，使用含有選自具有碳原子數(shù)12、碳原子數(shù)14或碳原子數(shù)16的烷基的咪唑鎓鹵化物、具有碳原子數(shù)14或碳原子數(shù)16的烷基的吡啶鎓鹵化物和具有碳原子數(shù)16或碳原子數(shù)18的烷基的鹵化銨中的至少一種及水的用于抑制微細結(jié)構(gòu)體的圖案倒塌的處理液。其中由氧化硅形成的微細結(jié)構(gòu)體為半導(dǎo)體裝置或微機械。