1.向三氯化鎵GaCl3的熱水溶液中加NaHCO3的高濃熱水溶液，煮沸到鎵的氫氧化物全部沉淀出來為止。用熱水洗滌沉淀至沒有Cl-為止，在600℃以上煅燒則得到β-Ga2O3。殘留NH4Cl時，在250℃就和Ga2O3反應，生成揮發(fā)性GaCl3。

2.這是高純Ga2O3的制法。以高純金屬Ga為陽極，溶解于5%～20%H2SO4溶液里，向溶液加氨水，冷卻，將Ga(NH4)(SO4)2反復結晶，在105℃干燥，在過量氧的條件下在800℃灼燒2h，則得到純度為9999%～99.9999%的產(chǎn)品。

3. 稱取1kg99.9999%的高純鎵放入三頸燒瓶中，加入高純硝酸，使鎵全部溶解，然后過濾，濾液倒入三頸燒瓶中，移至電爐上蒸發(fā)（在通風櫥中進行），濃縮到接近結晶時，將溶液移置于大號蒸發(fā)皿中蒸發(fā)至干。將蒸干的Ｇａ（ＮＯ３）３放在馬弗爐中進行灼燒，溫度控制在550℃，灼燒５ｈ，待冷卻后取出成品，得１．２ｋｇ高純氧化鎵。

氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg＝4．9eV，其導電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

Ga 2 O 3 是金屬鎵的氧化物，同時也是一種半導體化合物。其結晶形態(tài)截至目前已確認有α、β、γ、δ、ε五種，其中，β結構最穩(wěn)定。與Ga 2 O 3 的結晶生長及物性相關的研究大部分圍繞β結構展開。研究人員曾試制了金屬半導體場效應晶體管，盡管屬于未形成保護膜鈍化膜的簡單結構，但是樣品已經(jīng)顯示出耐壓高、泄漏電流小的特性。在使用碳化硅和氮化鎵制造相同結構的元件時，通常難以達到這些樣品的指標。

按β-Ga2O3照晶體生長過程中原料狀態(tài)的不同，可以將晶體生長方法分為：溶液法、熔體法、氣相法、固相法等。熔體法是研究最早也是應用最為廣泛的晶體生長方法，也是目前生長β-Ga2O3體塊單晶常用的方法。通過熔體法可以生長高質量、低成本的β-Ga2O3體塊單晶，其中最為常用的生長方法主要有兩種：提拉法和導模法。