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12024-21-4

中文名稱 三氧化二鎵
英文名稱 Gallium(III) oxide
CAS 12024-21-4
EINECS 編號 234-691-7
分子式 Ga2O3
MDL 編號 MFCD00011020
分子量 187.44
MOL 文件 12024-21-4.mol
更新日期 2024/10/28 08:34:48
12024-21-4 結(jié)構(gòu)式 12024-21-4 結(jié)構(gòu)式

基本信息

中文別名
三氧化二鎵
氧化鎵
氧化鎵(Ⅲ)
氧化鎵, 99.999% (METALS BASIS)
氧化鎵, PURATRONIC|R, 99.999% (METALS BASIS)
氧化鎵, 99.995% (METALS BASIS)
氧化鎵, 99.99% (METALS BASIS)
英文別名
GALLIUM(+3)OXIDE
GALLIUM(III) OXIDE
GALLIUM OXIDE
GALLIUM SESQUIOXIDE
Digallium trioxide
digalliumtrioxide
Ga2-O3
Gallia
Gallium oxide (Ga2O3)
Gallium trioxide
galliumoxide(ga2o3)
galliumtrioxide
Gallium(III) oxide (99.999% Ga) PURATREM
Galliumoxidewhitepowder
GALLIUM(III) OXIDE 99.999+%
Gallium(III) oxide, 99.99+% metals basis
Gallium(III) oxide, 99.99+%
GALLIUM OXIDE, 99.999%
Gallium(III)oxide(99.998%-Ga)PURATREM
gallium(iii) oxide, puratronic
所屬類別
有機(jī)原料:有機(jī)鉍、鈷、鐠、釓、鎵、銥、錸、釔、鋱等

物理化學(xué)性質(zhì)

外觀性質(zhì)白色結(jié)晶粉末,不溶于水和稀酸溶液與堿金屬氧化物在高溫下反應(yīng)可生成鎵鹽。熔點(diǎn)為:1740℃
熔點(diǎn)1740 °C
密度6.44 g/mL at 25 °C
折射率1.92
儲(chǔ)存條件Sealed in dry,Room Temperature
溶解度soluble in hot acid solutions
形態(tài)粉狀或塊狀
比重6.44
顏色白色
水溶解性Soluble in acids. Insoluble in water
Merck14,4346
穩(wěn)定性穩(wěn)定的。與鎂不相容。
InChIKeyQZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N
CAS 數(shù)據(jù)庫12024-21-4(CAS DataBase Reference)
EPA化學(xué)物質(zhì)信息Gallium trioxide (12024-21-4)

安全數(shù)據(jù)

危險(xiǎn)性符號(GHS)GHS hazard pictograms
GHS07
警示詞警告
危險(xiǎn)性描述H315-H319-H335
防范說明P261-P271-P280
安全說明S24/25
WGK Germany2
RTECS號LW9650000
TSCAYes
海關(guān)編碼28259090
毒性mammal (species unspecified),LDLo,intraperitoneal,10gm/kg (10000mg/kg),BEHAVIORAL: EXCITEMENTLUNGS, THORAX, OR RESPIRATION: RESPIRATORY DEPRESSIONBEHAVIORAL: ATAXIA,Gigiena Truda i Professional'nye Zabolevaniya. Labor Hygiene and Occupational Diseases. Vol. 31(6), Pg. 58, 1987.

應(yīng)用領(lǐng)域

用途一
用作半導(dǎo)體材料,光譜分析中用于測定鈾中雜質(zhì)
用途二
制取釓鎵石榴石、催化劑、化學(xué)試劑等

制備方法

方法1

1.向三氯化鎵GaCl3的熱水溶液中加NaHCO3的高濃熱水溶液,煮沸到鎵的氫氧化物全部沉淀出來為止。用熱水洗滌沉淀至沒有Cl-為止,在600℃以上煅燒則得到β-Ga2O3。殘留NH4Cl時(shí),在250℃就和Ga2O3反應(yīng),生成揮發(fā)性GaCl3。

2.這是高純Ga2O3的制法。以高純金屬Ga為陽極,溶解于5%~20%H2SO4溶液里,向溶液加氨水,冷卻,將Ga(NH4)(SO4)2反復(fù)結(jié)晶,在105℃干燥,在過量氧的條件下在800℃灼燒2h,則得到純度為9999%~99.9999%的產(chǎn)品。

3. 稱取1kg99.9999%的高純鎵放入三頸燒瓶中,加入高純硝酸,使鎵全部溶解,然后過濾,濾液倒入三頸燒瓶中,移至電爐上蒸發(fā)(在通風(fēng)櫥中進(jìn)行),濃縮到接近結(jié)晶時(shí),將溶液移置于大號蒸發(fā)皿中蒸發(fā)至干。將蒸干的Ga(NO3)3放在馬弗爐中進(jìn)行灼燒,溫度控制在550℃,灼燒5h,待冷卻后取出成品,得1.2kg高純氧化鎵。

上下游產(chǎn)品信息

12024-21-4(安全特性,毒性,儲(chǔ)運(yùn))

儲(chǔ)運(yùn)特性
庫房通風(fēng)低溫干燥
毒性分級
低毒
急性毒性
口服-小鼠LD50: 10000 毫克/公斤; 腹腔-小鼠LD50: 5000 毫克/公斤
類別
有毒物品
滅火劑
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 霧狀水
職業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
STEL 3 毫克/立方米

常見問題列表

簡介

氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體,禁帶寬度Eg=4.9eV,其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好,因此,其在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景,被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域,而其在未來的功率、特別是大功率應(yīng)用場景才是更值得期待的。

12024-21-4

性能

Ga 2 O 3 是金屬鎵的氧化物,同時(shí)也是一種半導(dǎo)體化合物。其結(jié)晶形態(tài)截至目前已確認(rèn)有α、β、γ、δ、ε五種,其中,β結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定。與Ga 2 O 3 的結(jié)晶生長及物性相關(guān)的研究大部分圍繞β結(jié)構(gòu)展開。研究人員曾試制了金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,盡管屬于未形成保護(hù)膜鈍化膜的簡單結(jié)構(gòu),但是樣品已經(jīng)顯示出耐壓高、泄漏電流小的特性。在使用碳化硅和氮化鎵制造相同結(jié)構(gòu)的元件時(shí),通常難以達(dá)到這些樣品的指標(biāo)。

應(yīng)用
氧化鎵是一種新興的功率半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度大于硅,氮化鎵和碳化硅,在高功率應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢愈加明顯。但氧化鎵不會(huì)取代SiC和GaN,后兩者是硅之后的下一代主要半導(dǎo)體材料。 氧化鎵更有可能在擴(kuò)展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器,如電動(dòng)汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。
制備方法
氧化鎵制備主流方法:

按β-Ga2O3照晶體生長過程中原料狀態(tài)的不同,可以將晶體生長方法分為:溶液法、熔體法、氣相法、固相法等。熔體法是研究最早也是應(yīng)用最為廣泛的晶體生長方法,也是目前生長β-Ga2O3體塊單晶常用的方法。通過熔體法可以生長高質(zhì)量、低成本的β-Ga2O3體塊單晶,其中最為常用的生長方法主要有兩種:提拉法和導(dǎo)模法。

氧化鎵價(jià)格(試劑級)
報(bào)價(jià)日期產(chǎn)品編號產(chǎn)品名稱CAS號包裝價(jià)格
2024/08/19042528氧化鎵(III), Puratronic?, 99.999% (metals basis)
Gallium(III) oxide, Puratronic?, 99.999% (metals basis)
12024-21-45g897元
2024/08/19042528氧化鎵(III), Puratronic?, 99.999% (metals basis)
Gallium(III) oxide, Puratronic?, 99.999% (metals basis)
12024-21-425g2187元
2024/08/19042528氧化鎵(III), Puratronic?, 99.999% (metals basis)
Gallium(III) oxide, Puratronic?, 99.999% (metals basis)
12024-21-4100g6943元
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