產(chǎn)品規(guī)格 （CAT#: LM1050）
INVSc1 Competent Cell: 100μl/支 保存： -80℃（3個月）
pYES2 (control vector, 10 ng/μl) 10μl 保存：-80℃（12個月）
Carrier DNA (10 μg/μl) 100μl 保存：-20℃（12個月）
PEG/LiAC: 5ml 保存： 4℃（12個月）
INVSc1感受態(tài)細胞基因型
MATa his3Δ1 leu2 trp1-289 ura3-52/MATα his3Δ1 leu2 trp1-289 ura3-52
INVSc1感受態(tài)細胞產(chǎn)品說明
INVSc1菌株是專門用來做重組蛋白表達的宿主酵母，pYES2質(zhì)粒與INVSc1酵母配套使用，激活pYES2質(zhì)粒的GAL1啟動子的轉(zhuǎn)錄進而啟動下游重組蛋白的表達。INVSc1為合子型，可直接通過PEG/LiAc將pYES2質(zhì)粒轉(zhuǎn)化進入INVSc1細胞內(nèi)。質(zhì)粒pYES2的篩選標志為URA，可用SD-URA板進行篩選。INVSc1感受態(tài)細胞經(jīng)特殊工藝制作，-80℃可保存三個月，pYES2質(zhì)粒檢測轉(zhuǎn)化效率>104 cfu/μg DNA。
INVSc1感受態(tài)細胞操作方法
1. 取100 μl冰上融化的INVSc1感受態(tài)細胞，依次加入預(yù)冷的目的質(zhì)粒2-5 μg，Carrier DNA (95-100℃，5 min，快速冰浴，重復(fù)一次) 10 μl，PEG/LiAc 500 μl并吸打幾次混勻，30℃水浴30 min (15 min時翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。
2. 將管放42℃水浴15 min (7.5 min時翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。
3. 5000 rpm離心 40 s棄上清，ddH2O 400 μl 重懸，離心 30s棄上清。
4. ddH2O 50 μl重懸，涂質(zhì)粒篩選用：SD-U medium板，29℃培養(yǎng)48-96 h。
注意事項
1. 感受態(tài)細胞在冰上融化。
2. 轉(zhuǎn)化高濃度的質(zhì)粒可相應(yīng)減少最終用于涂板的菌量。
3. INVSc1酵母菌株對高溫敏感，最適生長溫度為27-30℃；高于31℃，生長速度和轉(zhuǎn)化效率呈指數(shù)下降。
關(guān)鍵字： INVSc1_感受態(tài)細胞_基因_
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