金薄膜蝕刻劑在光刻法制作微電子線路中用以選擇蝕刻金。和光刻技術(shù)相結(jié)合這些蝕刻劑可在氧化鋁或其他基板上的薄膜上制作精密電極和電阻圖案。其純度高鈉含量低,0.2微米過濾,可用于半導(dǎo)體和微型電子產(chǎn)品。
金蝕刻劑TFA,不含氰化物,用于制作標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品
金蝕刻劑GE-8148,不含氰化物,不浸蝕鎳膜
TFA
GE-8148
操作溫度
室溫
通風(fēng)
建議用通風(fēng)櫥
攪拌
攪拌可加快蝕刻速率
罐
玻璃
蝕刻速率,25℃
28 ? /秒
50 ? /秒
組成
液體中含KI-I2絡(luò)合物
液體中含KI-I2絡(luò)合磷酸鹽化合物
PH(20℃)
8.15±0.2
密度(20℃)
1.265±0.01
蝕刻能力(g/加侖)
100
光刻膠相匹配性
陰,陽光刻膠
沖洗
蒸溜水,去離子水
廢液處理
按國(guó)家有關(guān)規(guī)定處理
雜質(zhì)含量
(ppm)
鈉(Na)
40
氯和溴(CL)
鉛(Pb)
5
鐵(Fe)
3
硫(作為硫酸鹽)
50
磷(作為磷酸鹽)
10
青島凱莫思生化科技有限公司
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