本品為加有HF且HF活度穩(wěn)定的性能改進(jìn)的緩沖劑，用于平面鈍化、制作晶體管、集成電路、二極管、檢波器、SCR、MOS、FET的半導(dǎo)體技術(shù)中選擇溶解SiO2。

獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)

·經(jīng)濟(jì)便宜，使用方便

·HF活度穩(wěn)定

·良好的工藝重復(fù)性

·不會(huì)出現(xiàn)邊下蝕被掩蔽的氧化物

·不擴(kuò)散硅表面著色

·硅表面不污染

·光刻膠涂層不受影響

說(shuō)明

緩沖劑－HF是一個(gè)理想的緩沖劑配方，其特點(diǎn)是緩沖指數(shù)高和蝕刻速率均勻合適。緩沖劑－HF的組成可通過(guò)HF活度和PH的測(cè)量得到精密控制。質(zhì)量平衡對(duì)應(yīng)于兩配體單核絡(luò)合物的HF+(F)+2(HF2)，而變化平衡是(H+)-(F)+(HF2-)。HF的活度通過(guò)其特定平衡常數(shù)保持恒定不變，這便決定了氟化物、二氟化物和HF諸組分間的平衡反應(yīng)。而第二平衡常數(shù)參與氫離子濃度的濃度調(diào)節(jié)。

緩沖劑－HF制備并經(jīng)分析確定已基本完全去除了任何雜質(zhì)。硝酸根離子是引起擴(kuò)散硅表面著色的最常見(jiàn)的雜質(zhì)，在這種緩沖劑中已特別加以排除。能引起裝置質(zhì)量降低的重金屬雜質(zhì)在生產(chǎn)過(guò)程中得到了嚴(yán)格控制。

緩沖劑-HF的性質(zhì)

*蝕刻速率根據(jù)氧化硅膜結(jié)構(gòu)而改變

緩沖劑－HF的使用

緩沖劑－HF能深解在硅表面上制出的并在光印刷術(shù)中暴光的二氧化硅膜（熱生長(zhǎng)和硅烷SiO2）。它還能溶解半導(dǎo)體加工過(guò)程形成的磷二氧化硅和硼二氧化硅玻璃中的摻雜二氧化硅膜，總化學(xué)反應(yīng)式為：4HF+SiO2 → SiF4+2H2O  建議在制作半導(dǎo)體平面和臺(tái)面型二極管裝置的新技術(shù)中使用緩沖劑－HF，操作安全無(wú)誤，它與陰，陽(yáng)性光刻膠都相匹配。易于得到重現(xiàn)性良好的結(jié)果，不會(huì)出現(xiàn)邊下蝕被掩蔽的氧化物、表面著色和重金屬造成質(zhì)量降級(jí)等現(xiàn)象。

指導(dǎo)意見(jiàn)

大多數(shù)實(shí)際氧化物鈍化層厚度范圍是2000 ?到5000 ?，將其在室溫下于緩沖劑－HF液中浸泡2-5分鐘都會(huì)得到良好的結(jié)果，必要時(shí)接觸時(shí)間可適當(dāng)增減。操作完畢，應(yīng)當(dāng)用去離子水將緩沖劑-HF沖洗掉。緩沖劑-HF的緩沖指數(shù)高，因此在固定接觸時(shí)間條件下反復(fù)使用。為了增快蝕刻速率（約2X），可以在35℃的溫度使用緩沖劑-HF。