用途制備一種二氟化氙氣相刻蝕阻擋層,包括如下步驟:(1)將二氟化氙氣體噴灑到裸露的阻擋層的表面;(2)采用光束僅照射電介質(zhì)層上表面的阻擋層,使電介質(zhì)層上表面的阻擋層的刻蝕速率高于溝槽和連接孔側(cè)壁上的阻擋層的刻蝕速率。本發(fā)明通過(guò)向電介質(zhì)層上表面的阻擋層照射光束,提高了電介質(zhì)層上表面的阻擋層的刻蝕速率,使電介質(zhì)層上表面的阻擋層的刻蝕速率高于溝槽和連接孔側(cè)壁上的阻擋層的刻蝕速率,避免溝槽和連接孔側(cè)壁上的阻擋層過(guò)度刻蝕,提高了微觀上的刻蝕均勻性,達(dá)到了更好的工藝效果。
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