磷化銦性質熔點1070°C密度4,787g/cm3形態(tài)pieces顏色Black水溶解性Insolubleinwater.晶體結構Cubic,SphaleriteStructure-SpaceGroupF(-4)3mMerck14,4953CAS數(shù)據(jù)庫22398-80-7(CASDataBaseReference)(IARC)致癌物分類2A(Vol.86)2006EPA化學物質信息Indiumphosphide(InP)(22398-80-7)磷化銦用途與合成方法化學性質磷化銦具有瀝青光澤的深灰色晶體。熔點1070℃。熔點下離解壓為2.75Mpa。極微溶于無機酸。介電常數(shù)：10.8。電子遷移率：約4600cm2/V?s?？昭ㄟw移率：約150cm2/V?s。具有半導體的特性。磷化銦是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料之一，是繼硅（Si）、砷化鎵（GaAs）之后的新一代微電子、光電子功能材料，其因電子遷移率高、禁帶寬度大等特點，被廣泛應用于微波及光電器件領域。用途用作半導體材料，用于光纖通訊技術，需要1.1～1.6μm范圍內的光源和接受器。在InP襯底上生長In-GaAsP雙異質結激光器既能滿足晶格匹配，又能滿足波長范圍的要求。生產方法用高壓單晶爐制備磷化銦單晶是最主要的方法，并用摻等電子雜質的方法降低晶體的位錯密度。而氣相外延，多采用In-PCl3-H2系統(tǒng)的歧化法，在該工藝中用銦(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之間的反應來生長磷化銦層。氣相外延將石英反應管放在雙溫區(qū)電爐中，已凈化的高純氫氣經計量通入，氫氣也用來稀釋三氯化磷，此時彭泡器保持在0℃，通過反應管內的氫氣線速度為14cm/min。外延生長分為誘個階段進行。在階段，將盛有銦的石英舟放在電爐中源區(qū)，通入氫氣并加熱到700～850℃，再用氫氣將三氯化磷引入，在銦源上方被還原成磷蒸氣和氯化氫。鎘化氫與銦反應生成一氯化銦蒸氣在管中遷移。磷溶解在銦中直至飽和為止。在第二階段，銦源保持在原位置不加熱，單晶襯底放在電爐的第二加溫區(qū)后，在氫氣氛下加熱到600～750℃。首先用氫氣將三氯化磷引入到管內對襯底進行氣相腐蝕，清洗襯底表面。再將氫氣直接引入反應管，并把源加熱到它的過飽和溫度(在操作中此溫度比襯底晶體的溫度高100℃)。然后通過氫氣鼓泡將三氯化磷引入，這時磷蒸氣與在源區(qū)生成的一氯化銦反應，在襯底上淀積生長出磷化銦層。當外延生長完成后，向系統(tǒng)中通入純氫氣，將兩個溫區(qū)冷卻到室溫，取出產物，制得磷化銦成品。類別有毒物品