22398-80-7
中文名稱
磷化銦
英文名稱
INDIUM PHOSPHIDE
CAS
22398-80-7
EINECS 編號
244-959-5
分子式
InP
MDL 編號
MFCD00016153
分子量
145.79
MOL 文件
22398-80-7.mol
更新日期
2023/03/20 19:41:25
22398-80-7 結(jié)構(gòu)式
基本信息
中文別名
磷化銦磷化銦晶體INP
磷化銦, 99.9999% (METALS BASIS)
磷化銦, 多晶塊, 99.99% (METALS BASIS)
磷化銦, 99.999% (METALS BASIS)
英文別名
INDIUM(III) PHOSPHIDEIndium monophosphide
Indium phosphide (InP)
indiummonophosphide
InP
Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM
Indium phosphide wafer
Indiumphosphidemetalsbasispiecesanddownblack
Indiumphosphidepolycrystallinelump
Indiumphsophidewafer
INDIUM(III) PHOSPHIDE, PIECES, 3-20 MESH , 99.998%
Indium phosphide, polycrystalline lump, 99.99%
polycrystallinelump
INDIUM PHOSPHIDE WAFER - 51MM DIA. X 0.35MM
INDIUM PHOSPHIDE LUMP
Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis)
Indium(III) phosphide, 99.999% (metals basis)
Indium(III) phosphide, 99.9999% (metals basis)
Phosphinetriylindium(III)
Phosphinidyneindium(III)
所屬類別
無機(jī)化工產(chǎn)品: 無機(jī)鹽: Cm磷化合物及磷酸鹽物理化學(xué)性質(zhì)
外觀性狀具有瀝青光澤的深灰色晶體。熔點1070℃。熔點下離解壓為2.75 Mpa。極微溶于無機(jī)酸。介電常數(shù)：10.8。電子遷移率：約4600 cm2/V?s。空穴遷移率：約150 cm2/V?s。具有半導(dǎo)體的特性。
熔點1070°C
密度4,787 g/cm3
溶解度slightly soluble in acid solutions
形態(tài)pieces
顏色黑色
水溶解性Insoluble in water.
晶體結(jié)構(gòu)Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
Merck14,4953
暴露限值ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: TWA 0.1 mg/m3
CAS 數(shù)據(jù)庫22398-80-7(CAS DataBase Reference)
(IARC)致癌物分類2A (Vol. 86) 2006
EPA化學(xué)物質(zhì)信息Indium phosphide (InP) (22398-80-7)
安全數(shù)據(jù)
警示詞危險
危險性描述H350-H361-H372
防范說明P201-P308+P313
危險品標(biāo)志T
安全說明S24/25
危險品運(yùn)輸編號3288
WGK Germany3
RTECS號NL1800000
TSCAYes
毒害物質(zhì)數(shù)據(jù)22398-80-7(Hazardous Substances Data)
毒性mouse,LD,intraperitoneal,> 5gm/kg (5000mg/kg),ENDOCRINE: CHANGES IN SPLEEN WEIGHTLUNGS, THORAX, OR RESPIRATION: CHANGES IN LUNG WEIGHTBLOOD: "CHANGES IN SERUM COMPOSITION (E.G., TP, BILIRUBIN, CHOLESTEROL)",Journal of Occupational Health. Vol. 38, Pg. 6, 1996.
應(yīng)用領(lǐng)域
用途一
用作半導(dǎo)體材料，用于光纖通訊技術(shù)，需要1.1～1.6μm范圍內(nèi)的光源和接受器。在 InP襯底上生長In-GaAsP雙異質(zhì)結(jié)激光器既能滿足晶格匹配，又能滿足波長范圍的要求。制備方法
方法一
用高壓單晶爐制備磷化銦單晶是最主要的方法，并用摻等電子雜質(zhì)的方法降低晶體的位錯密度。而氣相外延，多采用In-PCl3-H2系統(tǒng)的歧化法，在該工藝中用銦(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之間的反應(yīng)來生長磷化銦層。氣相外延將石英反應(yīng)管放在雙溫區(qū)電爐中，已凈化的高純氫氣經(jīng)計量通入，氫氣也用來稀釋三氯化磷，此時彭泡器保持在0℃，通過反應(yīng)管內(nèi)的氫氣線速度為14 cm/min。外延生長分為誘個階段進(jìn)行。
在第一階段，將盛有銦的石英舟放在電爐中源區(qū)，通入氫氣并加熱到700～850℃，再用氫氣將三氯化磷引入，在銦源上方被還原成磷蒸氣和氯化氫。鎘化氫與銦反應(yīng)生成一氯化銦蒸氣在管中遷移。磷溶解在銦中直至飽和為止。
在第二階段，銦源保持在原位置不加熱，單晶襯底放在電爐的第二加溫區(qū)后，在氫氣氛下加熱到600～750℃。首先用氫氣將三氯化磷引入到管內(nèi)對襯底進(jìn)行氣相腐蝕，清洗襯底表面。再將氫氣直接引入反應(yīng)管，并把源加熱到它的過飽和溫度(在操作中此溫度比襯底晶體的溫度高100℃)。然后通過氫氣鼓泡將三氯化磷引入，這時磷蒸氣與在源區(qū)生成的一氯化銦反應(yīng)，在襯底上淀積生長出磷化銦層。當(dāng)外延生長完成后，向系統(tǒng)中通入純氫氣，將兩個溫區(qū)冷卻到室溫，取出產(chǎn)物，制得磷化銦成品。
22398-80-7(安全特性,毒性,儲運(yùn))
儲運(yùn)特性
庫房通風(fēng)低溫干燥可燃性危險特性
高熱產(chǎn)生有毒磷氧化物煙霧類別
有毒物品滅火劑
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 霧狀水職業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
TWA 0.1 毫克 (銦)/立方米磷化銦價格(試劑級)
| 報價日期 | 產(chǎn)品編號 | 產(chǎn)品名稱 | CAS號 | 包裝 | 價格 |
| 2024/11/08 | A15509 | 磷化銦(III), 多晶塊, 99.99% (metals basis) Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis) | 22398-80-7 | 1g | 1252元 |
| 2024/11/08 | A15509 | 磷化銦(III), 多晶塊, 99.99% (metals basis) Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis) | 22398-80-7 | 5g | 4442元 |
| 2024/11/08 | 036283 | 磷化銦(III), 99.999% (metals basis) Indium(III) phosphide, 99.999% (metals basis), Thermo Scientific Chemicals | 22398-80-7 | 1g | 2122元 |