磷化銦具有瀝青光澤的深灰色晶體。熔點(diǎn)1070℃。熔點(diǎn)下離解壓為2.75 Mpa。極微溶于無(wú)機(jī)酸。介電常數(shù)：10.8。電子遷移率：約4600 cm2/V?s?？昭ㄟw移率：約150 cm2/V?s。具有半導(dǎo)體的特性。

磷化銦是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料之一，是繼硅（Si）、砷化鎵（GaAs）之后的新一代微電子、光電子功能材料，其因電子遷移率高、禁帶寬度大等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于微波及光電器件領(lǐng)域。用作半導(dǎo)體材料，用于光纖通訊技術(shù)，需要1.1～1.6μm范圍內(nèi)的光源和接受器。在 InP襯底上生長(zhǎng)In-GaAsP雙異質(zhì)結(jié)激光器既能滿(mǎn)足晶格匹配，又能滿(mǎn)足波長(zhǎng)范圍的要求。用高壓?jiǎn)尉t制備磷化銦單晶是最主要的方法，并用摻等電子雜質(zhì)的方法降低晶體的位錯(cuò)密度。而氣相外延，多采用In-PCl3-H2系統(tǒng)的歧化法，在該工藝中用銦(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之間的反應(yīng)來(lái)生長(zhǎng)磷化銦層。
氣相外延將石英反應(yīng)管放在雙溫區(qū)電爐中，已凈化的高純氫氣經(jīng)計(jì)量通入，氫氣也用來(lái)稀釋三氯化磷，此時(shí)彭泡器保持在0℃，通過(guò)反應(yīng)管內(nèi)的氫氣線(xiàn)速度為14 cm/min。外延生長(zhǎng)分為誘個(gè)階段進(jìn)行。
在第一階段，將盛有銦的石英舟放在電爐中源區(qū)，通入氫氣并加熱到700～850℃，再用氫氣將三氯化磷引入，在銦源上方被還原成磷蒸氣和氯化氫。鎘化氫與銦反應(yīng)生成一氯化銦蒸氣在管中遷移。磷溶解在銦中直至飽和為止。
在第二階段，銦源保持在原位置不加熱，單晶襯底放在電爐的第二加溫區(qū)后，在氫氣氛下加熱到600～750℃。首先用氫氣將三氯化磷引入到管內(nèi)對(duì)襯底進(jìn)行氣相腐蝕，清洗襯底表面。再將氫氣直接引入反應(yīng)管，并把源加熱到它的過(guò)飽和溫度(在操作中此溫度比襯底晶體的溫度高100℃)。然后通過(guò)氫氣鼓泡將三氯化磷引入，這時(shí)磷蒸氣與在源區(qū)生成的一氯化銦反應(yīng)，在襯底上淀積生長(zhǎng)出磷化銦層。當(dāng)外延生長(zhǎng)完成后，向系統(tǒng)中通入純氫氣，將兩個(gè)溫區(qū)冷卻到室溫，取出產(chǎn)物，制得磷化銦成品。有毒物品高熱產(chǎn)生有毒磷氧化物煙霧庫(kù)房通風(fēng)低溫干燥干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 霧狀水TWA 0.1 毫克 (銦)/立方米