二維層狀材料是近些年興起的一類新興材料，通常其層內(nèi)以較強(qiáng)的共價(jià)鍵或者離子鍵結(jié)合而成，而層間則是依靠較弱的范德華力堆疊在一起。尤其是2004年單原子層石墨烯的發(fā)現(xiàn)極大地推動了二維材料的發(fā)展，使其迅速成為研究前沿。然而眾所周知，本征石墨烯由于受到六重對稱性保護(hù)幾乎沒有能隙，限制了其在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用。與石墨烯相比，二維層狀半導(dǎo)體材料與生俱來的天然帶隙結(jié)構(gòu)使它們在微電子及光電子領(lǐng)域具有極大的應(yīng)用潛力。

碲化鎵是黑色質(zhì)軟的晶體，熔點(diǎn)824±2℃，相對密度 5.444～25，具有閃鋅礦構(gòu)造。制法：把鎵和碲等摩爾量混合加熱而得。