背景及概述^[1][2]

硒化銦是黑色晶體或軟的、暗黑色鱗狀體，熔點890 ±10℃。濃酸中溶解并分解。制法：由 In₂O₃在硒化氫氣流中加熱而得。

制備^[2]

現(xiàn)代信息技術(shù)的進(jìn)步在很大程度上依賴于以半導(dǎo)體硅為基礎(chǔ)材料的集成電路的發(fā)展。目前，由于受到來自短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，主流CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)即將達(dá)到10nm的技術(shù)節(jié)點，很難繼續(xù)提升，這也預(yù)示著“摩爾定律”可能 面臨終結(jié)。因此，探索新型溝道材料和新原理的晶體管技術(shù)，以期替代硅基CMOS技術(shù)，一直以來是科學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界的主流研究方向之一。

相比與米級單晶石墨烯和厘米級單晶TMDCs材料，主族間金屬化合物的單晶尺寸卻維持在幾十微米，(如In₂Se₃、InSe、GaSe等)，這類半導(dǎo)體材料由于其特殊的光學(xué)、電學(xué)等性能，有望廣泛應(yīng)用于微納電子器件、光學(xué)器件、化學(xué)生物傳感器等領(lǐng)域。因此，通過合理的實驗設(shè)計獲得大尺寸主族間金屬化合物晶體的制備尤為關(guān)鍵與重要。然而目前還沒有有效的制備In₂Se₃單晶的方法。

CN102534800A公開了一種In₂Se₃納米材料的制備方法，包括：將氣相In₂Se₃用載氣輸送到含有催化劑的基體上，并在所述基體上沉積生長得到In₂Se₃納米材料；所述催化劑為金顆粒、金膜或銦膜。本發(fā)明使用氣相沉積法將氣相In₂Se₃沉積在基體上，在催化劑的催化作用下生長成納米棒或納米線，而且控制載氣的種類可以控制納米線的晶相，在氬氣、氮氣或氦氣中沉積生長可以制備主晶相為κ相的In₂Se₃納米線，在氫氣中沉積生長可以制備α相In₂Se₃納米線。該方法的不足在于得到的In₂Se₃尺寸較小，只能算作一維材料，無法滿足需求。因此，開發(fā)一種能夠生產(chǎn)大尺寸In₂Se₃單晶二維材料的方法，對于本領(lǐng)域有重要的意義。   

應(yīng)用^[3]

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，傳感器在各領(lǐng)域中也應(yīng)用得越來越多。其中，光電傳感器作為傳感器中的一員在各領(lǐng)域中起著重要的作用。光電傳感器可以使用其光敏元件將光信號轉(zhuǎn)換成電信號，主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計算、導(dǎo)彈制導(dǎo)、光學(xué)成像、光電通信、和紅外遙感等。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，人們對光電傳感器的要求也越來越高，如：要求光電傳感器的功耗更小、靈敏度更高、更適應(yīng)外界環(huán)境等。

然而，現(xiàn)有的光電傳感器難以同時滿足以上條件。CN201110286058.3提供一種光電傳感器，以使光電傳感器的功耗更小、靈敏度更高、更適應(yīng)外界環(huán)境，技術(shù)方案如下：一種光電傳感器，包括光敏元件，所述光敏元件由納米材料硒化銦構(gòu)成。通過應(yīng)用以上技術(shù)方案，本發(fā)明能夠使用納米材料硒化銦構(gòu)成光電傳感器的光敏元件，由于納米材料硒化銦的尺寸很小，因此功耗很低。同時，經(jīng)過試驗發(fā)現(xiàn)本發(fā)明光敏元件的靈敏度較高，有較寬的溫度適應(yīng)性和較寬的光譜響應(yīng)。

主要參考資料

[1] 化合物詞典

[2] CN201810361432.3 一種二維硒化銦原子晶體及其制備方法和用途

[3] CN201110286058.3 一種光電傳感器