將2g(0.036mol)錳、2g(0.071mol)硅和10g(0.16mol)銅以小塊狀放入到一10mL Al2O3坩堝中，置于一支一端開口的石英安瓿中。抽空和熔封后，將安瓿放在一座碳硅棒高溫爐中。12h內(nèi)將溫度升高到1200℃，然后以10℃／h的速度降溫至500℃。將安瓿取出，冷卻，然后插入于一段直徑較粗的橡皮管中，打碎安瓿以便能安全地取出金屬錠。將富銅的Cu—Mn—Si基塊溶解在8mol/L硝酸中，八面體晶體便剩留下來，用水洗滌這些晶體并干燥，可以得到棱邊長達(dá)2mm的MnSi2晶體。將若干八面體晶體研成粉末并用GuinierHagg技術(shù)(Cu射線)進(jìn)行研究?？梢愿鶕?jù)立方晶胞對所有的衍射線進(jìn)行編目，α＝(4.560±0.001)A ^· (1A ^· =0.1nm，下同)這個數(shù)值在過去報道的MnSi2格距(4.558±0.001)的允許實驗誤差范圍內(nèi)。由于研細(xì)的晶體和過去制品具有很相似的晶格常數(shù)，表明錳大部分沒有被銅所取代。這個結(jié)果又為晶體的發(fā)射光譜分析所證實，表明銅的含量上限約達(dá)1%。