鈦蝕刻劑是應(yīng)用于半導(dǎo)體制作和薄膜微電子技術(shù)的選擇性控制蝕刻劑。
鈦蝕刻劑TFT是設(shè)計(jì)用來(lái)蝕刻通常在微電子產(chǎn)品中作為連結(jié)層和阻擋層的蒸發(fā)法薄膜的蝕刻劑。這種蝕刻劑光刻膠匹配性良好、分辨率高、邊下蝕現(xiàn)象低。
鈦蝕刻劑TFTN用來(lái)蝕刻玻璃或SiO2基板上的Ti沉積膜。TFTN并不含有氫氟酸。
性質(zhì)
TFT
TFTN
外觀
澄清水溶液
PH
1
閃點(diǎn)
不可燃
貯存
室溫
有效期
1年
毒性
強(qiáng)酸
操作
蝕刻容器
聚乙烯/聚丙烯
溫度
20~50℃
70~85℃
蝕刻速率
25 ?/秒,20℃
50 ?/秒,30℃
10 ?/秒,70℃
50 ?/秒,80℃
沖洗
水
*匹配光刻膠
陰性和陽(yáng)性
金屬
——
除Al以外的大多數(shù)金屬
*KPR/KMER/KTFR:PKP(Transene);AZ/RISTON/ETC.
青島凱莫思生化科技有限公司
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