奧氮平的雜質(zhì)主要來源于以下幾個(gè)方面:
合成過程殘留:包括起始原料、中間體(如2-甲基-4-三氟甲基苯胺)、副反應(yīng)產(chǎn)物(如未完全反應(yīng)的中間體或副產(chǎn)物)。
降解產(chǎn)物:在光照、高溫、濕度或酸堿條件下,奧氮平可能發(fā)生降解,生成如奧氮平氮氧化物、開環(huán)化合物等。
溶劑殘留:合成過程中使用的有機(jī)溶劑(如甲苯、二氯甲烷等)可能未完全去除。
金屬離子污染:生產(chǎn)設(shè)備中的金屬離子可能引入微量雜質(zhì)。
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葉棟偉