乙硅烷有別于硅烷的特殊化學(xué)特性(易分解),在PECVD、LPCVD制造工藝中其成膜溫度比硅烷低很多、成膜速率快、膜質(zhì)量平滑均勻,乙硅烷分子中含硅量比硅烷高許多,因此,未來乙硅烷將會(huì)有廣闊的使用空間,目前許多芯片廠開始嘗試使用含一定濃度的SiH 4 -Si 2 H 6混合氣體。
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