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ChemicalBook > 製品カタログ > 有機(jī)化學(xué)品 > 有機(jī)金屬化合物 > 有機(jī)ゲルマニウム > テトラエチルゲルマン

テトラエチルゲルマン

テトラエチルゲルマン price.
  • ¥5200 - ¥152200
  • 化學(xué)名: テトラエチルゲルマン
  • 英語(yǔ)名: TETRAETHYLGERMANE
  • 別名:テトラエチルゲルマン;テトラエチルゲルマニウム;テトラエチルゲルマニウム(IV)
  • CAS番號(hào): 597-63-7
  • 分子式: C8H20Ge
  • 分子量: 188.88
  • EINECS:209-905-7
  • MDL Number:MFCD00015096
7物価
選択條件:
ブランド
  • 富士フイルム和光純薬株式會(huì)社(wako)
  • 東京化成工業(yè)
  • Sigma-Aldrich Japan
パッケージ
  • 50mg
  • 1g
  • 2g
  • 5g
  • 10g
  • 生産者富士フイルム和光純薬株式會(huì)社(wako)
  • 製品番號(hào)W01SRM93-3227
  • 製品説明テトラエチルゲルマニウム
  • 英語(yǔ)製品説明Tetraethylgermane
  • 包裝単位10g
  • 価格¥152200
  • 更新しました2024-03-01
  • 購(gòu)入
  • 生産者富士フイルム和光純薬株式會(huì)社(wako)
  • 製品番號(hào)W01SRM93-3227
  • 製品説明テトラエチルゲルマニウム
  • 英語(yǔ)製品説明Tetraethylgermane
  • 包裝単位2g
  • 価格¥38300
  • 更新しました2024-03-01
  • 購(gòu)入
  • 生産者富士フイルム和光純薬株式會(huì)社(wako)
  • 製品番號(hào)W01W0232-8516
  • 製品説明テトラエチルゲルマン 97+% (NMR)
  • 英語(yǔ)製品説明Tetraethylgermane 97+% (NMR)
  • 包裝単位5g
  • 価格¥17000
  • 更新しました2021-03-23
  • 購(gòu)入
  • 生産者富士フイルム和光純薬株式會(huì)社(wako)
  • 製品番號(hào)W01W0232-8516
  • 製品説明テトラエチルゲルマン 97+% (NMR)
  • 英語(yǔ)製品説明Tetraethylgermane 97+% (NMR)
  • 包裝単位1g
  • 価格¥5600
  • 更新しました2021-03-23
  • 購(gòu)入
  • 生産者富士フイルム和光純薬株式會(huì)社(wako)
  • 製品番號(hào)W01FLCGET7150
  • 製品説明テトラエチルゲルマン
  • 英語(yǔ)製品説明Tetraethylgermane
  • 包裝単位1g
  • 価格¥5600
  • 更新しました2020-09-21
  • 購(gòu)入
  • 生産者東京化成工業(yè)
  • 製品番號(hào)T1157
  • 製品説明テトラエチルゲルマン >98.0%(GC)
  • 英語(yǔ)製品説明Tetraethylgermane >98.0%(GC)
  • 包裝単位1g
  • 価格¥5200
  • 更新しました2023-06-01
  • 購(gòu)入
  • 生産者Sigma-Aldrich Japan
  • 製品番號(hào)S387819
  • 製品説明 AldrichCPR
  • 英語(yǔ)製品説明TETRAETHYLGERMANE AldrichCPR
  • 包裝単位50mg
  • 価格¥24900
  • 更新しました2024-03-01
  • 購(gòu)入
生産者 製品番號(hào) 製品説明 包裝単位 価格 更新時(shí)間 購(gòu)入
富士フイルム和光純薬株式會(huì)社(wako) W01SRM93-3227 テトラエチルゲルマニウム
Tetraethylgermane
10g ¥152200 2024-03-01 購(gòu)入
富士フイルム和光純薬株式會(huì)社(wako) W01SRM93-3227 テトラエチルゲルマニウム
Tetraethylgermane
2g ¥38300 2024-03-01 購(gòu)入
富士フイルム和光純薬株式會(huì)社(wako) W01W0232-8516 テトラエチルゲルマン 97+% (NMR)
Tetraethylgermane 97+% (NMR)
5g ¥17000 2021-03-23 購(gòu)入
富士フイルム和光純薬株式會(huì)社(wako) W01W0232-8516 テトラエチルゲルマン 97+% (NMR)
Tetraethylgermane 97+% (NMR)
1g ¥5600 2021-03-23 購(gòu)入
富士フイルム和光純薬株式會(huì)社(wako) W01FLCGET7150 テトラエチルゲルマン
Tetraethylgermane
1g ¥5600 2020-09-21 購(gòu)入
東京化成工業(yè) T1157 テトラエチルゲルマン >98.0%(GC)
Tetraethylgermane >98.0%(GC)
1g ¥5200 2023-06-01 購(gòu)入
Sigma-Aldrich Japan S387819 AldrichCPR
TETRAETHYLGERMANE AldrichCPR
50mg ¥24900 2024-03-01 購(gòu)入

プロパティ

融點(diǎn)  :-90 °C
沸點(diǎn)  :163-164 °C(lit.)
比重(密度)  :0.998 g/mL at 25 °C(lit.)
屈折率  :n20/D 1.442(lit.)
閃點(diǎn)  :95 °F
貯蔵溫度  :Flammables area
外見(jiàn)  :liquid
比重 :1.1989
色 :colorless
Hydrolytic Sensitivity :4: no reaction with water under neutral conditions
Dielectric constant :1.97
CAS データベース :597-63-7(CAS DataBase Reference)
EPAの化學(xué)物質(zhì)情報(bào) :Germane, tetraethyl- (597-63-7)

安全情報(bào)

絵表示(GHS): GHS hazard pictogramsGHS hazard pictograms
注意喚起語(yǔ): Warning
危険有害性情報(bào):
コード 危険有害性情報(bào) 危険有害性クラス 區(qū)分 注意喚起語(yǔ) シンボル P コード
H226 引火性の液體および蒸気 引火性液體 3 警告
H302 飲み込むと有害 急性毒性、経口 4 警告 GHS hazard pictograms P264, P270, P301+P312, P330, P501
H315 皮膚刺激 皮膚腐食性/刺激性 2 警告 GHS hazard pictograms P264, P280, P302+P352, P321,P332+P313, P362
H319 強(qiáng)い眼刺激 眼に対する重篤な損傷性/眼刺激 性 2A 警告 GHS hazard pictograms P264, P280, P305+P351+P338,P337+P313P
H335 呼吸器への刺激のおそれ 特定標(biāo)的臓器毒性、単回暴露; 気道刺激性 3 警告 GHS hazard pictograms
注意書(shū)き:
P210 熱/火花/裸火/高溫のもののような著火源から遠(yuǎn)ざ けること。-禁煙。
P261 粉じん/煙/ガス/ミスト/蒸気/スプレーの吸入を避ける こと。
P303+P361+P353 皮膚(または髪)に付著した場(chǎng)合:直ちに汚染された衣 類をすべて脫ぐこと/取り除くこと。皮膚を流水/シャワー で洗うこと。
P305+P351+P338 眼に入った場(chǎng)合:水で數(shù)分間注意深く洗うこと。次にコ ンタクトレンズを著用していて容易に外せる場(chǎng)合は外す こと。その後も洗浄を続けること。
P405 施錠して保管すること。

説明

Tetraethylgermanium is a kind of organic germanium compounds. Germanium shares the group 14 with silicon, tin and lead in the periodic table. Though having limited synthetic value due to the cost of organic germanium compounds, germanium is considered as a non-toxic alternative of many toxic organotin reagents. Compounds such as d tetraethylgermanium are used as precursors for germanium dioxide chemical vapor deposition in the microelectronics industry, being useful in the manufacturing of semiconductor films.

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