概述^[1][2]

2,4,6,8,10-環(huán)五硅氧烷又叫五甲基環(huán)五硅氧烷，是一種有機(jī)硅化合物。其可用于制備包含硅氧烷溶劑的有機(jī)功能材料。

應(yīng)用^[1-2]

一、用于沉積低介電常數(shù)薄膜

在制造集成電路時(shí)，等離子體工藝逐漸被用于替代熱處理。為了進(jìn)一步減小集成電路上的器件尺寸，需要使用低電阻率的導(dǎo)電材料和使用低介電常數(shù)(低-K)絕緣體來降低相鄰金屬連線之間的電容耦合。

CN201010219968.5提供了一種用于沉積低介電常數(shù)薄膜的方法。所述方法通過在具有功率供給的電極的處理腔室中定位襯底，使一種或多種氧化氣體流入處理腔室，從大容量儲(chǔ)存容器中使有機(jī)硅化合物以有機(jī)硅流速經(jīng)過數(shù)字式液體流量計(jì)流到蒸發(fā)注射閥，蒸發(fā)有機(jī)硅化合物并使該有機(jī)硅化合物和一種載氣流到處理腔室中，保持有機(jī)硅流速以在RF功率存在下沉積初始層，從第二大容量儲(chǔ)存容器中使致孔劑(porogen)化合物以致孔劑流速經(jīng)過第二數(shù)字式液體流量計(jì)流到第二蒸發(fā)注射閥，蒸發(fā)致孔劑化合物并使該致孔劑化合物和一種載氣流到處理腔室中，在RF功率存在下沉積一過渡層的同時(shí)，提高有機(jī)硅流速和致孔劑流速，并且保持第二有機(jī)硅流速和第二致孔劑流速以在RF功率存在下沉積含有致孔劑的有機(jī)硅酸鹽介質(zhì)層。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，保持有機(jī)硅流速大約1秒，并且有機(jī)硅化合物可以是四甲基環(huán)四硅氧烷、八甲基環(huán)四硅氧烷、五甲基環(huán)五硅氧烷、六甲基環(huán)三硅氧烷、二乙氧基甲基硅烷、二甲基二硅氧烷、1，3，5，7-四硅代-2，6-二氧代環(huán)辛烷、四甲基二硅氧烷、六 甲基二硅氧烷、1，3-雙(硅烷基亞甲基)-二硅氧烷、雙(1-甲基二硅氧基)甲烷、雙(1-甲基二硅氧基)丙烷、六甲氧基二硅氧烷、二甲基二甲氧基硅烷或者二甲氧基甲基乙烯基硅烷。

二CN201680018910提供一種用于制造有機(jī)半導(dǎo)體器件的制劑，所述制劑含有至少一種有機(jī)功能材料和至少溶劑和第二溶劑，其特征在于所述溶劑為硅氧烷。優(yōu)選地，所述硅氧烷是選自八甲基環(huán)四硅氧烷，十甲基環(huán)五硅氧烷，十二甲基環(huán)六硅氧烷，十四甲基環(huán)七硅氧烷，六乙基環(huán)三硅氧烷，八乙基環(huán)四硅氧烷，2,4,6,8,10-五乙基、2,4,6,8,10-五甲基環(huán)五硅氧烷和2,4,6-三乙基、2,4,6-三甲基環(huán)三硅氧烷的環(huán)硅氧烷。

主要參考資料

[1] [中國發(fā)明,中國發(fā)明授權(quán)] CN201010219968.5 用數(shù)字式液體流量計(jì)改進(jìn)低介電常數(shù)介質(zhì)膜的初始層的方法

[2] CN201680018910.X包含硅氧烷溶劑的有機(jī)功能材料的制劑