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氮化硅材料的性能特點(diǎn)及其應(yīng)用簡(jiǎn)介

2020/10/21 8:46:20

氮化硅(Si3N4)陶瓷是無(wú)機(jī)非金屬?gòu)?qiáng)共價(jià)鍵化合物,其基本結(jié)構(gòu)單元為四面體,硅原子位于四面體的中心,四個(gè)氮原子分別位于四面體的四個(gè)頂點(diǎn),然后以每三個(gè)四面體共用一個(gè)硅原子的形式在三維空間形成連續(xù)而又堅(jiān)固的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),氮化硅的許多性能都是因?yàn)槠渚哂羞@種特殊的結(jié)構(gòu)。因此Si3N4結(jié)構(gòu)中氮原子與硅原子間結(jié)合力很強(qiáng),其作為一種高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,素有陶瓷材料中的“全能冠軍”之稱。

氮化硅晶型

氮化硅(Si3N4)含有三種晶型,常見(jiàn)有兩種晶型。一種為α-Si3N4,針狀結(jié)晶體,呈白色或灰白色,另一種為β-Si3N4,顏色較深,呈致密的顆粒狀多面體或短棱柱體。兩者均為六方晶系。

較長(zhǎng)的堆疊順序?qū)е?alpha;相的硬度高于β相。 然而,與β相相比,α相化學(xué)不穩(wěn)定。 所以在液相的高溫下,α相總是轉(zhuǎn)變?yōu)?beta;相。 因此,β-Si3N4是氮化硅陶瓷中使用的主要形式。

性能特點(diǎn)

1、氮化硅的物理性能:

①熱學(xué)性質(zhì):屬高溫難熔物質(zhì),無(wú)熔點(diǎn),常壓下1900℃左右分解,抗高壓蠕變能力強(qiáng),不含粘結(jié)劑的反應(yīng)燒結(jié)氮化硅負(fù)荷軟化點(diǎn)可高達(dá)1800℃;

②導(dǎo)熱性能好;

③熱膨脹系數(shù)?。?/p>

④電絕緣性能好,介電系數(shù)小,抗擊穿電壓高。

2、氮化硅的化學(xué)性能:

①抗氧化性:800℃以下干燥氣氛中不與氧反應(yīng);

②抗熔融金屬腐蝕性:氮化硅對(duì)單質(zhì)金屬融液(除銅外)不浸潤(rùn),不受腐蝕;

③抗酸堿鹽腐蝕性:易溶于氫氟酸,與稀酸不起作用。

3、氮化硅的機(jī)械性能:

①高溫強(qiáng)度好,1200℃高溫強(qiáng)度與室溫強(qiáng)度相比衰減不大,另外,它的高溫蠕變率很低。這些都是由強(qiáng)共價(jià)鍵本質(zhì)所決定的;

②硬度高,僅次于金剛石、立方BN、B4C等少數(shù)幾種超硬材料;

③摩擦系數(shù)小,有自潤(rùn)滑性,與加油的金屬表面相似。

氮化硅陶瓷的市場(chǎng)應(yīng)用簡(jiǎn)介

1.汽車產(chǎn)業(yè):燒結(jié)氮化硅的主要應(yīng)用在汽車行業(yè)作為一個(gè)發(fā)動(dòng)機(jī)零件材料。 在火花點(diǎn)火發(fā)動(dòng)機(jī)中,氮化硅用于較低磨損的搖臂墊,用于較低慣性的渦輪增壓器和較少的發(fā)動(dòng)機(jī)滯后,以及用于增加加速度的廢氣控制閥。

軸承: 與其他陶瓷相比,氮化硅陶瓷具有良好的抗沖擊性。 因此,在性能軸承中使用由氮化硅陶瓷制成的滾珠軸承。 一個(gè)代表性的例子是在美國(guó)宇航局航天飛機(jī)的主發(fā)動(dòng)機(jī)中使用氮化硅軸承。由于氮化硅球軸承比金屬硬,所以這減少了與軸承軌道的接觸。氮化硅球軸承可以在高端汽車軸承,工業(yè)軸承,風(fēng)力渦輪機(jī),賽車運(yùn)動(dòng),自行車,溜冰鞋和滑板中找到。

2.高溫材料:氮化硅長(zhǎng)期以來(lái)一直用于高溫應(yīng)用。 特別地,它被確定為能夠存活在氫/氧氣火箭發(fā)動(dòng)機(jī)中產(chǎn)生的嚴(yán)重?zé)釠_擊和熱梯度的少數(shù)單片陶瓷材料之一。

3.醫(yī)療:氮化硅具有許多矯形應(yīng)用。該材料也是用于脊柱融合裝置的PEEK(聚醚醚酮)和鈦的替代物。 與PEEK和鈦相比,氮化硅的親水,微觀結(jié)構(gòu)表面有助于材料的強(qiáng)度,耐久性和可靠性。

4.金屬切削刀具:由于其硬度,熱穩(wěn)定性和耐磨性,散裝的整體式氮化硅被用作切割工具的材料。 特別推薦用于鑄鐵的高速加工。 熱硬度,斷裂韌性和耐熱沖擊性意味著燒結(jié)氮化硅可以切割鑄鐵,硬鋼和鎳基合金。

5.電子產(chǎn)品:通常用作制造集成電路中的絕緣體和化學(xué)屏障,以電隔離不同結(jié)構(gòu)或作為體微機(jī)械加工中的蝕刻掩模。 作為微芯片的鈍化層,它優(yōu)于二氧化硅,因?yàn)樗菍?duì)水分子和鈉離子的顯著更好的擴(kuò)散阻擋,微電子學(xué)的兩個(gè)主要腐蝕源和不穩(wěn)定性。

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