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12055-23-1

中文名稱 氧化鉿
英文名稱 HAFNIUM OXIDE
CAS 12055-23-1
EINECS 編號(hào) 235-013-2
分子式 HfO2
MDL 編號(hào) MFCD00003565
分子量 210.49
MOL 文件 12055-23-1.mol
更新日期 2025/01/22 14:28:06
12055-23-1 結(jié)構(gòu)式 12055-23-1 結(jié)構(gòu)式

基本信息

中文別名
氧化鉿
氧化鉿(III)
Hafnium (IV)鎜xide (99.998%-Hf) PURATREM
氧化鉿, 99.95%, (METALS BASIS EXCLUDING ZR), ZR TYPICALLY
氧化鉿, 99.9% (METALS BASIS EXCLUDING ZR), ZR <0.5%
氧化鉿, TECH.
氧化鉿, 99.99% (METALS BASIS EXCLUDING ZR), ZR <100PPM
氧化鉿, 99% (METALS BASIS EXCLUDING ZR), ZR <1.5%
氧化鉿, SPECTROGRAPHIC GRADE, 99.9% (METALS BASIS EXCLUDIN
英文別名
HAFNIUM(+4)OXIDE
HAFNIUM(IV) OXIDE
HAFNIUM OXIDE
Hafnia
Hafnium oxide (HfO2)
hafniumoxide(hfo2)
HfO2
Hafniumoxideoffwhitepowder
Hafniumoxidesinteredlumps
HAFFNIUM (IV) OXIDE 99%
HAFNIUM OXIDE, 99.95+%
HAFNIUM OXIDE, POWDER,98%
HAFNIUM (IV) OXIDE 98%
HAFNIUM (IV) OXIDE 99.99% (METALS BASIS)
HAFNIUM (IV) OXIDE 99.999% (METAL BASIS) SPECTRO
HAFNIUM (IV) OXIDE 99.9% (METALS BASIS)
HAFNIUM OXIDE, 99.9%
Hafnium(IV)oxide(99.995%-Hf,<0.15%Zr)PURATREM
Hafnium(IV)oxide,98%
hafnium(iv) oxide, spectrographic grade
所屬類別
無機(jī)化工:稀土金屬、釔或鈧的氧化物

物理化學(xué)性質(zhì)

外觀性質(zhì)白色粉末,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。不溶于水、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸。熱膨脹系數(shù):5.8×10-6/℃ 密度: 9.68 熔點(diǎn): 2810 °C
熔點(diǎn)2810 °C
密度9.68 g/mL at 25 °C(lit.)
折射率2.13 (1700 nm)
溶解度insoluble in H2O
形態(tài)powder
比重9.68
顏色米白色
水溶解性Insoluble in water.
晶體結(jié)構(gòu)Monoclinic
Merck14,4588
暴露限值ACGIH: TWA 0.5 mg/m3
NIOSH: IDLH 50 mg/m3; TWA 0.5 mg/m3
InChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N
CAS 數(shù)據(jù)庫12055-23-1(CAS DataBase Reference)
EPA化學(xué)物質(zhì)信息Hafnium oxide (HfO2) (12055-23-1)

安全數(shù)據(jù)

危險(xiǎn)性符號(hào)(GHS)GHS hazard pictograms
GHS07
警示詞警告
危險(xiǎn)性描述H315-H319
安全說明S22-S24/25
WGK Germany3
TSCAYes
海關(guān)編碼28259085

應(yīng)用領(lǐng)域

用途一
為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。

制備方法

方法1

當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。

常見問題列表

物理性質(zhì)
氧化鉿(HfO2)是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在,一種是無定型狀態(tài),另外兩種為晶體。在<400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時(shí),可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃,開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢,并轉(zhuǎn)化為4個(gè)氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~1865℃時(shí)開始轉(zhuǎn)化為四方晶系。
向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿,在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8% ~ 20%氧化鈣,則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時(shí),則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。 單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3,熔點(diǎn)3031K,沸點(diǎn)5673K。
氧化鉿結(jié)構(gòu)
氧化鉿結(jié)構(gòu)1
化學(xué)性質(zhì)
氧化鉿的化學(xué)性質(zhì)與氧化鋯相似,其活性與煅燒溫度有關(guān),煅燒溫度越高,化學(xué)活性性越低。無定型氧化鉿容易溶解于酸中,但是結(jié)晶型氧化鉿即使是在熱鹽酸或者是硝酸中也不發(fā)生反應(yīng),而僅溶于熱濃的氫氟酸和硫酸中。結(jié)晶型氧化鉿與堿和鹽酸溶后,則容易稀酸中。在1100℃下,氧化鉿與鉿酸鋰。在高于1500℃氧化鉿與堿土金屬氧化鉿與二氧化硅等作用,生成鉿酸鹽和硅酸鉿。在1800℃以上與氧化硅組成一系列的固溶體。
鉿鹽水解可以得到兩性的氫氧化鉿,氫氧化鉿在100℃下干燥能夠達(dá)到HfO(OH)2,再升高溫度即轉(zhuǎn)換為氧化鉿。
在碳化過程中可有Hf2O3與HfO形成,但是對此研究較少。
簡介
二氧化鉿為白色或灰色粉末。不溶于水、鹽酸和硝酸和其他一般無機(jī)酸,在氫氟酸中緩慢溶解生成氟鉿酸鹽。與熱濃硫酸或硫酸氫鹽作用生成硫酸鉿。與碳在氯氣存在下混合加熱得到四氯化鉿。與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀。
性質(zhì)

氧化鉿為白色立方晶體,比重9.68。熔點(diǎn)2,758±25℃。沸點(diǎn)約5,400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1,475~1,600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無機(jī)酸,但在氫氟酸中緩慢溶解。

化學(xué)反應(yīng)

與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[Hf(SO4)2],與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4),與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6),與碳在1,500℃以上作用形成碳化鉿HfC。

制備
氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。
應(yīng)用領(lǐng)域
氧化鉿(HfO2)為鋯鉿分離的產(chǎn)物,目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí) Zr,并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,價(jià)格昂貴。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,通常用作光學(xué)鍍膜材料,很少量開始試用于高效集成電路,氧化鉿在高端領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。
氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用 HfO2的熔點(diǎn)比較高、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大,捕獲中子的能力強(qiáng),化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值。自上世紀(jì)以來,光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,所以 HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越廣泛,特別是它對光有比較寬的透明波段,在光透過氧化鉿薄膜時(shí),對光的吸收少,大部分通過折射透過薄膜,因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。
產(chǎn)品特性與用途
二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料,因其較高的介電常數(shù)值(~ 20),較大的禁帶寬度(~ 5.5 eV),以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,HfO2被認(rèn)為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng) SiO2 介電層的理想材料。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于 1 μm,以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題,隨著晶體管的尺寸縮小,二氧化硅介質(zhì)要求必須越來越薄,但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。
二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它很可能替代目前硅基集成電路的核心器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。
氧化鉿價(jià)格(試劑級(jí))
報(bào)價(jià)日期產(chǎn)品編號(hào)產(chǎn)品名稱CAS號(hào)包裝價(jià)格
2024/11/08045483氧化鉿(IV), 99.995%, (metals basis 去除 Zr), Zr 通常 <0.2%
Hafnium(IV) oxide, 99.995%, (metals basis excluding Zr), Zr typically <0.2%
12055-23-11g841元
2024/11/08045483氧化鉿(IV), 99.995%, (metals basis 去除 Zr), Zr 通常 <0.2%
Hafnium(IV) oxide, 99.995%, (metals basis excluding Zr), Zr typically <0.2%
12055-23-15g3174元
2024/11/08040620氧化鉿(IV), 99.99% (metals basis 去除 Zr), Zr <100ppm
Hafnium(IV) oxide, 99.99% (metals basis excluding Zr), Zr <100ppm, Thermo Scientific Chemicals
12055-23-11g1545元
"12055-23-1" 相關(guān)產(chǎn)品信息
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