99.9999%碲化鎘(CdTe)晶片 1,物理性質(zhì): 密度:6.20 熔點(diǎn):1041℃ 禁帶寬度:1.46 eV 2,純度:99.9999%; 3,規(guī)格:晶片(wafers); 4,檢測(cè):GDMS,XRD; 5,技術(shù)對(duì)接:CVD工藝:1molCd+1molTe=1molCdTe,進(jìn)行二次處理后,再經(jīng)過引晶,區(qū)域熔煉,生長(zhǎng)碲化鎘單晶--線切割--打磨拋光; 6,服務(wù):提供免費(fèi)樣品,MSDS及實(shí)用的防護(hù)措施; 7,應(yīng)用:紅外窗場(chǎng)致發(fā)光器件,紅外探測(cè),X射線探測(cè),核放射性探測(cè)器,接近可見光區(qū)的發(fā)光器件; 8,包裝:明礬分裝(取料時(shí)只需溫水溶化);
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