TSA主要用于在先進(jìn)邏輯技術(shù)節(jié)點(diǎn)及3D NAND位元線主要氧化物填充,它使用流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積(FCVD)機(jī)臺(tái)來(lái)將硅電介質(zhì)沉積到淺溝槽隔離技術(shù)(STI)中。由于3D NAND在存儲(chǔ)層中的堆疊層增長(zhǎng),從而增加存儲(chǔ)孔的高度,因此對(duì)TSA用量也持續(xù)增長(zhǎng)。
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