氮化硅、氮化鎵或氧化鋁膜的選擇性蝕刻劑TRANSETCH — N

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發(fā)貨地	山東
更新日期	2022-05-06

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產品詳情

中文名稱:氮化硅、氮化鎵或氧化鋁膜的選擇性蝕刻劑TRANSETCH — N	英文名稱:TRANSETCH — N
保存條件: 常溫避光通風保存	產品類別: 蝕刻劑

TRANSETCH — N

（氮化硅、氮化鎵或氧化鋁膜的選擇性蝕刻劑）

新半導體技術中氮化硅[Si₃N₄]、氮化鎵[GaN]或氧化鋁[Al₂O₃]膜的快速可控蝕刻。

獨特的優(yōu)點

· 使用方便

· 選擇蝕刻氮化硅、氮化鎵或氧化鋁膜

· 可反復使用，作用不會隨使用而減少

· 不產生毒性煙霧，不需要使用通風櫥

· 實際上消除了上蝕或下蝕現象

· 保證硅半導體部件的平面鈍化

說明

Transetch—N是用正磷酸制備的純試劑，它可以在硅或氧化硅存在下實現氮化硅或氧化鋁的選擇蝕刻。使用它在膜上蝕刻的開口其分辨率和普通平面技術對SiO₂所得到的分辨率相當，但同時對暴露的硅和二氧化硅表面基本上沒有不良影響。使用它時，對光刻膠、工藝的要求基本上和常慣蝕刻操作過程一樣，額外要求很少，而且成本不高。

Transetch—N不含氟化物。與氟化物基的蝕刻劑不同，TRANSETCH—N不造成下蝕現象，因此在選擇蝕刻時間方面具有寬的安全活動余地。Transetch—N性質穩(wěn)定,使用壽命長。

物理性質

液體無色、無味沸點（釋水）180℃比重，20℃1.757蝕刻速率，180℃：氧化鋁120 ?/分氮化硅125 ?/分氮化鎵80 ?/分二氧化硅1 ?/分硅1 ?/分

應用

TRANSETCH—N用于以沉積Si₃N₄和Al₂O₃為基礎的半導體部件的表面鈍化新技術。這一新技術可以生產高質量的可靠的半導體產品，尤其有利于MOS和MIS裝置的穩(wěn)定化。實際上消除了逆溫層和離子遷移：漏泄電流通路理論；表面狀態(tài)得到很好控制。

指導意見

TRANSETCH—N能很好應用于作為沉積膜的掩蓋層的沉積SiO₂的蝕刻層。當剛剛沉積了鈍化膜之后，便能很方便地加上SiO₂膜層。為此目的1000 ?的厚度通常便足夠了。

用通常的工藝過程在光刻膠和沉積SiO₂上得到需蝕刻的開口路線的圖案。然后用鉻酸—硫酸涂膜消除劑去除光刻膠。將去除光刻膠并沖洗過的基片置于煮沸的TRANSETCH—N液中一段時間，以便允許以每分鐘100 ?的速率進行蝕刻過程。而后用沖洗掉所有殘余的蝕刻液。這里需要注意的是，要將TRANSETCH—N的沸點穩(wěn)定地保持在180℃。這就需要把其中水的蒸發(fā)量控制到最低。隨時可以添加少量蒸餾水，以保證TRANSETCH—N液的沸點不超過180℃。

關鍵字：氮化硅、氮化鎵或氧化鋁蝕刻劑蝕刻液;

公司簡介

美國Transene蝕刻劑（蝕刻液，腐蝕液）中國供應商。金蝕刻劑8148，TFA；鉭蝕刻劑SIE—8607；鋁蝕刻劑，A型；銀蝕刻劑TFS；鈀蝕刻劑TFP；鉻蝕刻劑1020；加HF改進的緩沖劑；BOE； Transene 超聲洗滌劑TUD；鎳蝕刻劑TFB；氮化鉭蝕刻劑；鈦蝕刻劑TFT；銅蝕刻劑；鎳鉻蝕刻劑TFC和TFN；TFM鉬蝕刻和TFW鎢蝕刻劑；半導體蝕刻劑；氧化錫/銦錫蝕刻劑TE100；

成立日期	2016-09-21 （9年）	注冊資本	100.000000萬
員工人數	10-50人	年營業(yè)額	￥ 100萬以內
主營行業(yè)	化學試劑,醫(yī)藥中間體,合成材料中間體,其他中間體,液晶中間體	經營模式	貿易,工廠,試劑,定制,服務

煙臺科瑞爾化學科技有限公司

非會員

公司成立：9年
注冊資本：100.000000萬
企業(yè)類型：有限責任公司
主營產品：吩嗪酰胺類等
公司地址：山東省煙臺市芝罘區(qū)海港路29號1506室

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