氮化硅、氮化鎵或氧化鋁膜的選擇性蝕刻劑TRANSETCH — N

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最小起訂量	1加侖
發(fā)貨地	山東
更新日期	2022-05-06

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產(chǎn)品詳情

中文名稱:氮化硅、氮化鎵或氧化鋁膜的選擇性蝕刻劑TRANSETCH — N	英文名稱:TRANSETCH — N
保存條件: 常溫避光通風(fēng)保存	產(chǎn)品類別: 蝕刻劑

TRANSETCH — N

（氮化硅、氮化鎵或氧化鋁膜的選擇性蝕刻劑）

新半導(dǎo)體技術(shù)中氮化硅[Si₃N₄]、氮化鎵[GaN]或氧化鋁[Al₂O₃]膜的快速可控蝕刻。

獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)

· 使用方便

· 選擇蝕刻氮化硅、氮化鎵或氧化鋁膜

· 可反復(fù)使用，作用不會隨使用而減少

· 不產(chǎn)生毒性煙霧，不需要使用通風(fēng)櫥

· 實(shí)際上消除了上蝕或下蝕現(xiàn)象

· 保證硅半導(dǎo)體部件的平面鈍化

說明

Transetch—N是用正磷酸制備的純試劑，它可以在硅或氧化硅存在下實(shí)現(xiàn)氮化硅或氧化鋁的選擇蝕刻。使用它在膜上蝕刻的開口其分辨率和普通平面技術(shù)對SiO₂所得到的分辨率相當(dāng)，但同時對暴露的硅和二氧化硅表面基本上沒有不良影響。使用它時，對光刻膠、工藝的要求基本上和常慣蝕刻操作過程一樣，額外要求很少，而且成本不高。

Transetch—N不含氟化物。與氟化物基的蝕刻劑不同，TRANSETCH—N不造成下蝕現(xiàn)象，因此在選擇蝕刻時間方面具有寬的安全活動余地。Transetch—N性質(zhì)穩(wěn)定,使用壽命長。

物理性質(zhì)

液體無色、無味沸點(diǎn)（釋水）180℃比重，20℃1.757蝕刻速率，180℃：氧化鋁120 ?/分氮化硅125 ?/分氮化鎵80 ?/分二氧化硅1 ?/分硅1 ?/分

應(yīng)用

TRANSETCH—N用于以沉積Si₃N₄和Al₂O₃為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體部件的表面鈍化新技術(shù)。這一新技術(shù)可以生產(chǎn)高質(zhì)量的可靠的半導(dǎo)體產(chǎn)品，尤其有利于MOS和MIS裝置的穩(wěn)定化。實(shí)際上消除了逆溫層和離子遷移：漏泄電流通路理論；表面狀態(tài)得到很好控制。

指導(dǎo)意見

TRANSETCH—N能很好應(yīng)用于作為沉積膜的掩蓋層的沉積SiO₂的蝕刻層。當(dāng)剛剛沉積了鈍化膜之后，便能很方便地加上SiO₂膜層。為此目的1000 ?的厚度通常便足夠了。

用通常的工藝過程在光刻膠和沉積SiO₂上得到需蝕刻的開口路線的圖案。然后用鉻酸—硫酸涂膜消除劑去除光刻膠。將去除光刻膠并沖洗過的基片置于煮沸的TRANSETCH—N液中一段時間，以便允許以每分鐘100 ?的速率進(jìn)行蝕刻過程。而后用沖洗掉所有殘余的蝕刻液。這里需要注意的是，要將TRANSETCH—N的沸點(diǎn)穩(wěn)定地保持在180℃。這就需要把其中水的蒸發(fā)量控制到最低。隨時可以添加少量蒸餾水，以保證TRANSETCH—N液的沸點(diǎn)不超過180℃。

關(guān)鍵字：氮化硅、氮化鎵或氧化鋁蝕刻劑蝕刻液;

公司簡介

美國Transene蝕刻劑（蝕刻液，腐蝕液）中國供應(yīng)商。金蝕刻劑8148，TFA；鉭蝕刻劑SIE—8607；鋁蝕刻劑，A型；銀蝕刻劑TFS；鈀蝕刻劑TFP；鉻蝕刻劑1020；加HF改進(jìn)的緩沖劑；BOE； Transene 超聲洗滌劑TUD；鎳蝕刻劑TFB；氮化鉭蝕刻劑；鈦蝕刻劑TFT；銅蝕刻劑；鎳鉻蝕刻劑TFC和TFN；TFM鉬蝕刻和TFW鎢蝕刻劑；半導(dǎo)體蝕刻劑；氧化錫/銦錫蝕刻劑TE100；

成立日期	2016-09-21 （9年）	注冊資本	100.000000萬
員工人數(shù)	10-50人	年?duì)I業(yè)額	￥ 100萬以內(nèi)
主營行業(yè)	化學(xué)試劑,醫(yī)藥中間體,合成材料中間體,其他中間體,液晶中間體	經(jīng)營模式	貿(mào)易,工廠,試劑,定制,服務(wù)

煙臺科瑞爾化學(xué)科技有限公司

非會員

公司成立：9年
注冊資本：100.000000萬
企業(yè)類型：有限責(zé)任公司
主營產(chǎn)品：吩嗪酰胺類等
公司地址：山東省煙臺市芝罘區(qū)海港路29號1506室

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