高純加緩沖劑的HF蝕刻劑適合用于熱生長(zhǎng)或沉積二氧化硅膜。Transene二氧化硅蝕刻劑是邊下蝕低，匹配性廣的理想半導(dǎo)體蝕刻劑。 緩沖劑－HF 對(duì)熱生長(zhǎng)二氧化硅膜有最快的蝕刻速率，同時(shí)也適合用于沉積SiO2膜。 加緩沖劑的蝕刻劑 氟化銨：HF＝4:1，5:1，6:1，7:1，10:1或按客戶要求調(diào)配其比例。 BD蝕刻劑 其為二氧化硅玻璃（PSG）和硼硅玻璃（BSG）的浸泡蝕刻劑。蝕刻速率隨著此兩種玻璃組成的變化而變化。 氧化硅蝕刻劑 選擇和控制蝕刻由硅烷或乙基原硅酸酯沉積而產(chǎn)生的SiO2膜。 TIMETCH蝕刻劑 能得到控制地蝕刻沉積二氧化硅膜。 SILOX VAPOXⅢ 蝕刻硅上面的氧化物。這種蝕刻劑經(jīng)鋁飽合以使其對(duì)金屬基板的浸蝕性降至最低。 特點(diǎn) · 蝕刻速率變化范圍廣 · 高純度 · 使用方便 · 與光刻膠匹配范圍廣 加HF改進(jìn)的緩沖劑 （氟化物―二氟化物－氫氟酸緩沖劑） 本品為加有HF且HF活度穩(wěn)定的性能改進(jìn)的緩沖劑，用于平面鈍化、制作晶體管、集成電路、二極管、檢波器、SCR、MOS、FET的半導(dǎo)體技術(shù)中選擇溶解SiO2。 獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn) ·經(jīng)濟(jì)便宜，使用方便 ·HF活度穩(wěn)定 ·良好的工藝重復(fù)性 ·不會(huì)出現(xiàn)邊下蝕被掩蔽的氧化物 ·不擴(kuò)散硅表面著色 ·硅表面不污染 ·光刻膠涂層不受影響 說(shuō)明 緩沖劑－HF是一個(gè)理想的緩沖劑配方，其特點(diǎn)是緩沖指數(shù)高和蝕刻速率均勻合適。緩沖劑－HF的組成可通過(guò)HF活度和PH的測(cè)量得到精密控制。質(zhì)量平衡對(duì)應(yīng)于兩配體單核絡(luò)合物的HF+(F)+2(HF2)，而變化平衡是(H+)-(F)+(HF2-)。HF的活度通過(guò)其特定平衡常數(shù)保持恒定不變，這便決定了氟化物、二氟化物和HF諸組分間的平衡反應(yīng)。而第二平衡常數(shù)參與氫離子濃度的濃度調(diào)節(jié)。 緩沖劑－HF制備并經(jīng)分析確定已基本完全去除了任何雜質(zhì)。硝酸根離子是引起擴(kuò)散硅表面著色的最常見的雜質(zhì)，在這種緩沖劑中已特別加以排除。能引起裝置質(zhì)量降低的重金屬雜質(zhì)在生產(chǎn)過(guò)程中得到了嚴(yán)格控制。 緩沖劑-HF的性質(zhì) 外觀澄清液體硝酸鹽無(wú)比重1.12緩沖蝕刻能力65mg，SiO2/mlPH5.0蝕刻速率，20℃800 ? /分游離HF105M貯存室溫保存，在10℃以下會(huì)結(jié)晶析出主要離子HF2配體重金屬0.5ppm*蝕刻速率根據(jù)氧化硅膜結(jié)構(gòu)而改變 緩沖劑－HF的使用 緩沖劑－HF能深解在硅表面上制出的并在光印刷術(shù)中暴光的二氧化硅膜（熱生長(zhǎng)和硅烷SiO2）。它還能溶解半導(dǎo)體加工過(guò)程形成的磷二氧化硅和硼二氧化硅玻璃中的摻雜二氧化硅膜，總化學(xué)反應(yīng)式為：4HF+SiO2 → SiF4+2H2O 建議在制作半導(dǎo)體平面和臺(tái)面型二極管裝置的新技術(shù)中使用緩沖劑－HF，操作安全無(wú)誤，它與陰，陽(yáng)性光刻膠都相匹配。易于得到重現(xiàn)性良好的結(jié)果，不會(huì)出現(xiàn)邊下蝕被掩蔽的氧化物、表面著色和重金屬造成質(zhì)量降級(jí)等現(xiàn)象。 指導(dǎo)意見 大多數(shù)實(shí)際氧化物鈍化層厚度范圍是2000 ?到5000 ?，將其在室溫下于緩沖劑－HF液中浸泡2-5分鐘都會(huì)得到良好的結(jié)果，必要時(shí)接觸時(shí)間可適當(dāng)增減。操作完畢，應(yīng)當(dāng)用去離子水將緩沖劑-HF沖洗掉。緩沖劑-HF的緩沖指數(shù)高，因此在固定接觸時(shí)間條件下反復(fù)使用。為了增快蝕刻速率（約2X），可以在35℃的溫度使用緩沖劑-HF。 二氧化硅厚度與反射顏色的關(guān)系 顏色 厚度? X 103 灰色、黃褐色、褐色0.10.30.5----藍(lán)色0.81.53.04.96.9紫色1.02.74.76.5--綠色1.93.35.27.2--黃色2.13.75.67.5--橙色2.24.06.0----紅色2.54.46.3---- BD蝕刻劑 （用于PSG-SiO2 體系） 本品是加緩沖劑改進(jìn)的蝕刻劑，用于蝕刻磷硅玻璃－SiO2 (PSG)和硼硅玻璃SiO2 (BSG)體系、鈍化晶體管表面。BD蝕刻劑PSG/SiO2比率低，可把PSG鈍化膜下蝕現(xiàn)象降到最低。 BD蝕刻劑的蝕刻特點(diǎn) 20℃25℃30℃介電質(zhì)材料?/秒?/秒?/秒熱生長(zhǎng) SiO20.871.221.72PSG (6摩爾% P2O5)1.852.473.35蝕刻比率 (PSG/SiO2)2.122.021.95 注：蝕刻比率值隨PSG和BSG的組成而改變。 應(yīng)用 用作浸泡型蝕刻劑從接觸片上去除SiO2而不傷損PSG膜。在硅晶體管晶片接觸孔金屬化之前，首先使用蝕刻劑，而后用水和乙醇沖洗之。 二氧化硅蝕刻劑 (沉積SiO2的選擇性蝕刻劑) 本品為改性HF緩沖液，專門用于蝕刻半導(dǎo)體微電子產(chǎn)品中的沉積二氧化硅（SiO2）。 特點(diǎn) · 專門蝕刻硅烷或乙基原硅酸酯工藝過(guò)程沉積的SiO2膜 · 使用方便 · 經(jīng)濟(jì)便宜 · 蝕刻過(guò)程可精密控制，排除了氧化物下蝕現(xiàn)象 · 與光刻膠匹配性良好 說(shuō)明 二氧化硅是半導(dǎo)體微電子產(chǎn)品中沉積SiO2膜的擇優(yōu)蝕刻劑。本蝕刻劑是含有二氟化物離子的緩沖劑。其中HF活度通過(guò)氟化物、二氟化物和HF緩沖化物間的反應(yīng)平衡加以調(diào)節(jié)。重金屬雜質(zhì)含量嚴(yán)格控制在1ppm以下，以保證產(chǎn)品質(zhì)量。這種蝕刻劑與陰、陽(yáng)性光刻膠都有良好的匹配性。 二氧化硅蝕刻劑的性質(zhì) 外觀澄清液體比重1.1pH5.0重金屬< 1 ppm蝕刻速率，25 °C40 ?/秒緩沖劑蝕刻能力20 mgs. SiO2/mL.操作溫度25℃匹配光刻膠陰性和陽(yáng)性光刻膠貯存室溫外觀澄清液體 應(yīng)用 二氧化硅蝕刻劑用于光刻術(shù)制作半導(dǎo)體裝置和集成電路。沉積SiO2在此制作過(guò)程中起鈍化介電質(zhì)或與氮化硅一起蝕刻光掩膜的作用。SiO2沉積層的典型厚度是2000 ?數(shù)量級(jí)。用于蝕刻熱生長(zhǎng)SiO2的普通緩沖HF溶液不能用于蝕刻沉積SiO2膜。沉積SiO2膜是硅烷經(jīng)氧化或乙基原硅酸酯經(jīng)熱解而產(chǎn)生的。和熱生長(zhǎng)SiO2相比較，沉積二氧化硅膜蝕刻時(shí)速度要快。用二氧化硅蝕刻劑蝕刻沉積SiO2膜速率易于控制。 用二氧化硅蝕刻劑蝕刻沉積SiO2膜時(shí)的速率控制 蝕刻時(shí)間（秒）SiO2 沉積層厚度( ? )反射的顏色02150橙黃32100黃61900綠91700綠－藍(lán)121500藍(lán)151250藍(lán)－紫201000紫25900紫－藍(lán)30800褐35500棕黃40300灰45100灰－明亮500明亮 TIMETCH蝕刻劑 （二氧化硅膜的控制蝕刻劑） TIMETCH蝕刻劑是一種特制的蝕刻劑，它的特點(diǎn)是在蝕刻二氧化硅時(shí)，蝕刻過(guò)程能得到很好控制，而且沒(méi)有邊下蝕現(xiàn)象。Timetch 蝕刻劑與陰性和陽(yáng)性光刻膠都相匹配。 TIMETCH蝕刻劑用于去除二氧化硅和控制MOS裝置氧化物膜厚度。此蝕刻劑還建議用于二極管和晶體管鍍金屬膜前表面氧化物的去除。 對(duì)于沉積氧化物，在室溫下的去除速率是1.5 ?/秒。而對(duì)于熱生長(zhǎng)氧化物來(lái)說(shuō)，此速率則稍微顯得慢些。蝕刻過(guò)后應(yīng)當(dāng)接著用蒸餾水或去離子水沖洗之。 性質(zhì) 外觀澄清溶液pH5.5操作溫度25℃閃點(diǎn)不可燃溶解性與水相混溶蝕刻速率1.5 ?/秒；90 ?/分有效期1 年貯存室溫Timetch 蝕刻劑與銅匹配。 SILOX VAPOX III蝕刻劑 Ⅰ. 這一蝕刻劑用來(lái)蝕刻硅表面上的沉積氧化物。這些氧化物生長(zhǎng)于LPCVD裝置。它們和熱生長(zhǎng)氧化物在很多重要方面極不相同。一方面是它們的蝕刻速度，另一方面是它們的工藝程序。沉積氧化物經(jīng)常在鍍金屬的硅基板上用作一個(gè)鈍化層。Silox Vapox III蝕刻劑設(shè)計(jì)用來(lái)蝕刻鍍鋁硅板上作為鈍化層的沉積氧化物，效果極佳。這種蝕刻劑液中飽含著鋁，從而將其對(duì)鍍金的基板的浸蝕性降到最低限度。 Ⅱ. 沉積氧化物（Silox Vapox）的蝕刻速率：4000 ?/分，22 °C， Ⅲ. 這一產(chǎn)品中含有： 氟化銨 冰醋酸 鋁腐蝕抑制劑 表面活性劑 DI水 |